芯片測試是一種直接貫穿整個ic設計和量產過程中的大問題。

芯片出廠fail因此，需要對芯片進行各種仿真驗證：

1.功能fail：一個功能點沒有實現，這通常是由設計引起的。一般來說，在設計階段之前，使用芯片測試座來模擬和驗證功能。因此，設計芯片通常需要80%左右的時間。

2.性能fail：性能參數要求未通過，如2G的cpu只能跑到1.5G，在所需的轉換速度和帶寬環境下，數模轉換器的有效位數enob達到12位，但只有10位lna的noisefigure指標不達標等。這類問題一般是由兩個方面引起的，一是系統設計沒有足夠的余量，二是物理實現領域很差。這類問題過模擬驗證的。當然，模擬測試離不開匹配的芯片測試座。

3.生產fail：

造成這個問題的原因是單晶硅的生產。學過半導體物理的人都知道，單晶硅是一種常規的面心立方體結構，它有幾個晶向，我們通常根據111晶向生長單晶。然而，由于溫度等各種外部因素.提拉速度和量子力學的隨機性，在生長過程中會出現移位，這就是所謂的缺陷。

芯片測試

缺陷的另一個原因是離子注射，即使退火也不能糾正不規則的結構。半導體中的這些問題會導致設備故障，從而影響整個芯片。